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同时，消失利用Ge和In掺杂提升了SnSe电子结构的电子态密度，使材料保持了大的塞贝克系数。图5 Sn0.96Ge0.02In0.02Se纳米片的（a）热电优值（ZT），离阿里巴（b）ZT与有关报道的比较，离阿里巴（c）平均ZT，（d）理论能量转换效率在Ge、In掺杂的SnSe纳米片中，获得1.9的峰值ZT的同时，将平均ZT从0.35提升至0.88，增大了151%。

这种电声协同效应将SnSe多晶的最高热电优值提升至1.92，巴最并显著提升了其宽温域热电性能，巴最平均热电优值达到0.88，宽温域热电性能的提升有效提高了材料热电转换效率。【数据概览】图1 （a）SnSe的SEM图，杭州（b-d）Sn1-2xGexInxSe纳米片的SEM图。图2 Sn1-2xGexInxSe纳米片的（a）总热导率（kT），服装（b）kT与相关报道对比，（c）晶格热导率（kL），（d）kL与相关报道对比。

【核心创新点】设计了简便、消失高效、低成本的溶液合成方法成功制备SnSe纳米片，利用纳米边界、晶格应变有效抑制晶格热导率。离阿里巴论文信息EnhancedDensityofStatesFacilitatesHighThermoelectricPerformanceinSolution-GrownGeandIncodopedSnSeNanoplatesYaruGong,ShihuaZhang,YunxiangHou,ShuangLi,ChongWang,WenjieXiong,QingtangZhang,XuefeiMiao,JiziLiu,YangCao,DiLi,GuangChen,*GuodongTang文章链接：https://doi.org/10.1021/acsnano.2c11095DOI：10.1021/acsnano.2c11095本文由作者供稿。

通过设计纳米片结构，巴最调控材料的声子输运过程，巴最大幅降低了材料的热导率，研究发现纳米片形成的纳米晶界以及位错和层错导致了显著的晶格应变，形成了强的声子散射中心，从而使晶格热导率显著降低，在873K时获得了0.19Wm-1K-1的超低晶格热导率。

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